IGBT是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，結合了MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）的高輸入阻抗與BJT（雙極型晶體管）的低導通壓降優(yōu)勢。其核心結構由四層半導體（P+/N-/P-body/N+）和MOS柵極構成，形成類似“MOS柵控雙極晶體管”的復合結構。IGBT作為一種新型功率半導體器件，是國際上公認的電力電子技術第三次革命最具代表性的產品，被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”。

IGBT是目前發(fā)展最快的功率半導體器件之一。2024年全球IGBT的市場規(guī)模約為75億美元，較上年增長5.6%。受益于新能源汽車、風光儲、工業(yè)控制等領域需求的爆發(fā)式增長， 2025年全球IGBT市場規(guī)模將達到80億美元。

在雙碳戰(zhàn)略驅動和人工智能浪潮下，市場對能源轉換效率、設備智能化水平的要求持續(xù)提升，進而推動市場對各類半導體功率器件需求持續(xù)增加，IGBT等半導體功率器件將成為國民經濟發(fā)展中不可或缺的電子元器件。2024年中國IGBT市場規(guī)模達到223.3億元，較上年增長10.7%。2025年中國IGBT市場規(guī)模將達到244.9億元。