IGBT是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的高輸入阻抗與BJT（雙極型晶體管）的低導(dǎo)通壓降優(yōu)勢。其核心結(jié)構(gòu)由四層半導(dǎo)體（P+/N-/P-body/N+）和MOS柵極構(gòu)成，形成類似“MOS柵控雙極晶體管”的復(fù)合結(jié)構(gòu)。IGBT作為一種新型功率半導(dǎo)體器件，是國際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”。

近年來，中國IGBT行業(yè)受到各級政府的高度重視和國家產(chǎn)業(yè)政策的重點(diǎn)支持。國家陸續(xù)出臺了多項(xiàng)政策，鼓勵I(lǐng)GBT行業(yè)發(fā)展與創(chuàng)新，《新產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化領(lǐng)航工程實(shí)施方案（2023─2035年）》《制造業(yè)可靠性提升實(shí)施意見》《關(guān)于推動能源電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的指導(dǎo)意見》等產(chǎn)業(yè)政策為IGBT行業(yè)的發(fā)展提供了明確、廣闊的市場前景，為企業(yè)提供了良好的生產(chǎn)經(jīng)營環(huán)境。