IGBT是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的高輸入阻抗與BJT（雙極型晶體管）的低導(dǎo)通壓降優(yōu)勢。其核心結(jié)構(gòu)由四層半導(dǎo)體（P+/N-/P-body/N+）和MOS柵極構(gòu)成，形成類似“MOS柵控雙極晶體管”的復(fù)合結(jié)構(gòu)。IGBT作為一種新型功率半導(dǎo)體器件，是國際上公認的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”。

在雙碳戰(zhàn)略驅(qū)動和人工智能浪潮下，市場對能源轉(zhuǎn)換效率、設(shè)備智能化水平的要求持續(xù)提升，進而推動市場對各類半導(dǎo)體功率器件需求持續(xù)增加，IGBT等半導(dǎo)體功率器件將成為國民經(jīng)濟發(fā)展中不可或缺的電子元器件。2024年中國IGBT市場規(guī)模達到223.3億元，較上年增長10.7%。2025年中國IGBT市場規(guī)模將達到244.9億元。

全球IGBT市場由英飛凌（德國）、三菱電機（日本）、富士電機（日本）、安森美（美國）、賽米控丹佛斯（歐洲）等企業(yè)主導(dǎo)。其中，英飛凌以約30%的全球市場份額穩(wěn)居首位。本土企業(yè)中，斯達半導(dǎo)市場占比最大，為15%。其次是比亞迪半導(dǎo)體、中車時代、華潤微、士蘭微、揚杰科技、捷捷微電，分別占比12%、9%、3%、1%、1%、1%。